2006-3

Large Irreversibility Field of MgB₂/Fe Tapes Made by nano-C Doping

ナノサイズカーボン添加によるMgB2/Feテープの高不可逆磁場特性

We investigated the effect of nanoscale-C doping on the critical current density J_c and irreversibility field B_irr of Fe-sheathed MgB₂ tapes prepared by the in-situ powder-in-tube method. Higher values of J_c and B_irr were seen for 5 at.%C-doped MgB₂ tapes at higher sintering temperatures. The C-doped samples sintered at 950°C showed the highest B_irr, for example, at 4.2 K, the B_irr reached 22.9 T. In particular, at 20 K, B_irr for the C-doped tape achieved 9 T, which is comparable to the upper critical field of the commercial NbTi at 4.2 K.

Inst. Elect. Eng., Chinese Academy of Sciences: Y. Ma, X. Zhang, D. Wang
IMR, Tohoku University: S. Awaji, K. Watanabe

Reference: Y. Ma, X. Zhang, S Awaji, D. Wang, Z. Gao, G Nishijima and K Watanabe,
"Large irreversibility field in nanoscale C-doped MgB₂/Fe tape conductors",
Supercond. Sci. Technol. 20 (2007) L5-L8

in-situ PIT法によって作製したFeシースMgB₂テープにおける臨界電流密度J_cおよび不可逆磁場B_iへのナノスケールカーボンの添加効果について調べた．5 at%C添加MgB₂では，熱処理温度が高いほど高Jcおよび高Biが見られることが分かった． 950℃で熱処理した試料で最も高いB_iが得られ，例えば4.2Kでは22.9Tとなった．同じ試料のB_iは20Kでも9Tとなり，市販の実用NbTiの4.2Kにおける上部臨界磁場に匹敵する．

中国科学アカデミー電気工学研究所：Y. Ma, X. Zhang, D. Wang
東北大学金属材料研究所：淡路　智，渡辺和雄