2002-5

酸化物磁性半導体の極低温・強磁場電子輸送特性
Electronic Transport Properties of Oxide-Based Magnetic Semiconductors at Ultralow Temperature in High Magnetic Field

3d遷移金属（Mn，Fe，Co）をドープしたZnOエピタキシャル薄膜の，強磁場と極低温における磁気抵抗測定を行い，極低温で磁気抵抗のヒステリシスが観測された．ヒステリシスは，極低温における強磁性秩序の存在を示唆している．また，ドープする3d遷移金属の種類により，強磁場における磁気抵抗の振る舞いが大きく異なっていた．伝導キャリアの磁性不純物による散乱のメカニズムが磁性不純物の種類によって大きく異なることを意味している．

東北大学　金属材料研究所：福村知昭，山田康博，豊崎秀海，川崎雅司，小山佳一，渡辺和雄

Magnetoresistance for ZnO doped with 3d transition metal (Mn, Fe, Co) epitaxial films is measured at ultralow temperature in high magnetic field. The magnetoresistance shows hysteresis at ultralow temperature, implying ferromagnetic ordering in these samples. Behavior of the magnetoresistance in high magnetic field is different among the samples. This result represents that the scattering mechanism of mobile carrier by magnetic impurity depends on kind of magnetic impurity.

IMR, Tohoku University: T. Fukumura, Y. Yamada, H. Toyosaki, M. Kawasaki, K. Koyama, K. Watanabe
Reference: T. Fukumura, Y. Yamada, H. Toyosaki, M. Kawasaki, K. Koyama, K. Watanabe,
"Magnetoresistance of ZnO doped with transition metals at ultralow temperature in high magnetic field", to be submitted.